198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

NJVMJD127T4G

NJVMJD127T4G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:Транзисторы Дарлингтона BIP DPAK PNP 8A 100V
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Конфигурация Single
  • Полярность транзистора PNP
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
  • Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа -
  • Упаковка / блок -
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия MJD127
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, Reel