BUB323ZT4G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Транзисторы Дарлингтона 10A 350V Bipolar Power NPN
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности 150 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3 (D2PAK)
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BUB323Z
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
