198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F
  • Производитель: Toshiba
  • Описание:Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Запрос:
Технические характеристики
  • Конфигурация Single
  • Полярность транзистора NPN
  • Типичное входное сопротивление 1 kOhms, 10 kOhms
  • Типичный коэффициент деления резистора 0.1
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-723-3
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe50
  • Максимальная рабочая частота 250 MHz
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
  • Непрерывный коллекторный ток 100 mA
  • Пиковый постоянный ток коллектора -
  • Pd - рассеивание мощности 150 mW
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия RN1114MFV
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel