198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SURF MT BIASED RES XSTR
Запрос:
Технические характеристики
  • Конфигурация Dual
  • Полярность транзистора NPN, PNP
  • Типичное входное сопротивление -
  • Типичный коэффициент деления резистора 0.01
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SC-74R-6
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe68
  • Максимальная рабочая частота -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
  • Непрерывный коллекторный ток 500 mA
  • Пиковый постоянный ток коллектора -
  • Pd - рассеивание мощности 285 mW
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия IMD10AMT1G
  • Упаковка Cut Tape, Reel