NSVMMBT6520LT1G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 350V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-236-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 350 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 350 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 500 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 500 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 40 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MMBT6520L
