Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия -
