198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BUJ105AB,118

BUJ105AB,118
  • Производитель: WeEn Semiconductors
  • Описание:Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-404-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -