2SD1047
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3P-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 20 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2SD1047
