2N3055
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115W
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.1 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 2.5 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -
