198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

2SA1312GRTE85LF

2SA1312GRTE85LF
  • Производитель: Toshiba
  • Описание:Биполярные транзисторы - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-346-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 120 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 120 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальный постоянный ток коллектора -
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия 2SA1312