2N3495
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.35 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия 2N3495
