2N3134
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 200 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N3134
