2N3497
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT PNP Ampl/Switch
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.35 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N3497