ZTD09N50DE6QTA
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-26-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 24 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 215 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZTD09N50
