Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-5-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 35 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 20 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 165 C
- Серия -
