RN1103MFV,L3F
- Производитель: Toshiba
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-723-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия RN1103
