198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

2DD1664R-13

2DD1664R-13
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:Биполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-89-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 400 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 280 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2DD16