ZXTD6717E6QTA
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-26-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V to 15 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 15 V, 12 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 16.5 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 5 A, 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
