198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BUJ303AX,127

BUJ303AX,127
  • Производитель: WeEn Semiconductors
  • Описание:Биполярные транзисторы - BJT NPN POWER TRANSISTOR
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-220F-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 500 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) -
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.35 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -