Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-1006B-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 200 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
