BUT70W
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-247-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 125 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 200 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 900 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 70 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BUT70W
