2N1131
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 35 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 50 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -
