Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Mini-P3-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия -
