198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

2SC6096-TD-H

2SC6096-TD-H
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология SMD/SMT
  • Вид монтажа SOT-89-3
  • Упаковка / блок NPN
  • Полярность транзистора Single
  • Конфигурация 100 V
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 6.5 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 100 mV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 A
  • Максимальный постоянный ток коллектора 3.5 W
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2SC6096