DZT5551-13
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-223-4
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия DZT5551
