NSS60200LT1G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NSS60200LT1G
