Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-236AB-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 70 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
