Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-46-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 30 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -
