BUT30V
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Module
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок ISOTOP
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 125 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 150 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BUT30V