BUJ100LR,412
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.24 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -