2N3583
- Производитель: Central Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-66-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 175 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 10 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия 2N3583
