A2G22S190-01SR3
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология GaN Si
- Id - непрерывный ток утечки 19 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 16.5 dB
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-400S-2
- Упаковка Reel
