PD85006L-E
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:РЧ МОП-транзисторы RF power trans LDmoST plastic
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 2 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 15 dB
- Выходная мощность 6 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerFLAT (5x5)
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
