MRFX600HSR5
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 32 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 193 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 26.4 dB
- Выходная мощность 600 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4L
- Упаковка Cut Tape, Reel
