Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 900 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 11 dB
- Выходная мощность 5 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 211-07-3
- Упаковка Tray
