BF 999 E6327
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Silicon N-Channel MOSFET Triode
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 30 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление -
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
