MRF101BN
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 8.8 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 133 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 21.1 dB
- Выходная мощность 100 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Упаковка Tube
