Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 13 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 8.8 dB
- Выходная мощность 100 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 333-04
- Упаковка Tray
