198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QPD1008

QPD1008
  • Производитель: Qorvo
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 17.5 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
  • Id - непрерывный ток утечки 4 A
  • Выходная мощность 162 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 127 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-360
  • Упаковка Tray