GTVA261701FA-V1-R2
- Производитель: Wolfspeed / Cree
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 17 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 7.5 A
- Выходная мощность 170 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 225 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок H-37265J-2
- Упаковка Reel
