Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 22 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 360 mA
- Выходная мощность 180 W
- Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 60.9 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI400-2
- Упаковка Waffle
