TGF2965-SM
- Производитель: Qorvo
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18 dB
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
- Id - непрерывный ток утечки 600 mA
- Выходная мощность 6 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 7.5 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-16
- Упаковка Tray
