Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN
- Усиление 19.4 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 75 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-6
- Упаковка Reel
