CGHV60170D
- Производитель: Wolfspeed / Cree
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN
- Усиление 18 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 12.6 A
- Выходная мощность 170 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack
