Технические характеристики
- Тип транзистора MESFET
- Технология GaAs
- Усиление 20.5 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 375 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PQFN-20
- Упаковка Reel
