Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18.4 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
- Id - непрерывный ток утечки 1 A
- Выходная мощность 12.5 W
- Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 15.8 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-8
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
