Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 170 mA
- Выходная мощность 2.4 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 2.9 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Упаковка Gel Pack
