QPD1013SR
- Производитель: Qorvo
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 21.8 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 1.7 A
- Выходная мощность 178 W
- Максимальное напряжение сток-затвор 65 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 67 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-6
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
