QPD2730
- Производитель: Qorvo
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 16 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 48 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 210 mA
- Выходная мощность 36 W
- Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 18.6 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI780-4
- Упаковка Waffle
