198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QPD1019

QPD1019
  • Производитель: Qorvo
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 16.3 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 15 A
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 522 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
  • Упаковка -